能将量子隧穿效应的概率降低到可以接受的级别，并不影响芯片的实际运算。

不过想“碳晶复合纳米材料”制作成1nm芯片，必须有相应的光刻机和制片技术，而目前夏国都不具备。

为了避免由“碳晶复合纳米材料”制作的新世代芯片上市后被掌握更先进芯片技术的国外芯片大厂逆向推导、仿制出来，夏国被反向超车，必须在“碳晶复合纳米材料”进入到大规模工业化生产前，对其进行一定的“劣化”。

这就是名为“最优样品”、实际上是“劣化降级样品”诞生的根本原因。

“最优样品”在秦克的刻意劣化后，只能兼容7nm及以上的14nm、28nm等制程工艺的光刻机，而无法制备为5nm、2nm、1nm这类更高工艺制程芯片，不然会因为“量子隧穿效应”而严重影响芯片的运算准确性。

而“碳晶复合纳米材料”的第二个秘密，就是可以进一步优化，升级为基础入门版的量子芯片，实现64个量子比特数的量子计算。

也就是秦克手里的“特殊样品”。

杨承科又好奇问道：“你给我仔细说说这个‘特殊样品’，它能内置64个量子位，似乎也不是很特别吧？你们清木大学与夏科院的联合量子材料研究所，就研究出了一款可工作于300K高温的SiC量子器件，并实现了100个量子位，而花瓣自主研发的碳纳米管量子芯片，其工作环境可达77K，内置有10000个量子位。”

秦克点头道：“是啊，较之SiC量子器件及碳纳米管量子芯片，我手里的‘特殊样品’用作量子芯片的材料，其实并不占优势，因为它最多只能支持64个量子位，属于入门级的量子芯片，但它的前途不可限量。您也知道，当今量子芯片的研发方向，主要有超导体技术、半导体技术、离子阱技术以及光学技术等吧？”

杨承科作为科研线条的大老板，经常要向高层汇报，他对量子芯片也很关注和了解的，当下点头道：

“嗯，我们国家在这几个方向都同时发力，像我们国家的‘玖章三号’，就是采用光量子的光学技术，通过使用光作为载体，实现对量子位的操作和读取；又比如刚刚问世的‘悟空超导量子计算机’，能实现72个超导量子比特的量子计算；在离子阱方面也实现了50位离子阱量子比特的计算；还有半导体方向，上面提及过的SiC量子器件及碳纳米管量子芯片就是最杰出的研究成果。”

秦克笑着拍手道：“杨伯伯厉害，如数家珍啊。